[사업보고서]케이엔제이_21.11.07(feat.버틀러)

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1. 사업의 개요

가. 회사의 현황

당사는 2005년 회사 설립 이후 디스플레이 제조용 장비인 Edge Grinder(엣지그라인더)와 검사장비를 개발 생산해 왔으며, 2010년 신규사업으로 CVD-SiC(탄화규소) 제품군 분야에 진출한 후 LED제조용 SiC 코팅제품 및 반도체 웨이퍼 에칭공정용 소모품인 SiC Focus Ring 등을 생산/공급해 오고 있습니다.

Edge Grinder 및 검사장비는 디스플레이 제품 생산 공정 중 대형원장을 소규모 Panel단위로 절단(분리)하는 과정에서 절단면을 고르게 연마하고 검사하는 장비입니다. 주요 제품으로는 Panel Edge면을 가공하는 Edge Grinder, 스마트기기용 디스플레이기판 외형을 CNC기술로 정밀하게 가공하는 자유형상가공 CNC 설비, Edge 가공 전후의 상태를 검사하는 설비가 있습니다.

CVD-SiC제품은 기존에 주로 사용되던 단결정 Si(실리콘, 규소)소재 기반의 반도체용부품을 대체하는 제품으로 Si 소재의 단점을 보완하기 위해 CVD (화학기상증착)방식으로 Si에 탄소(C)를 결합시켜 생산하게 됩니다. 최근 반도체 제조공정이 고출력플라즈마를 사용함에 따라 특수한 환경에 견딜 수 있는 소재가 주목을 받고 있습니다.

(다) 수요 변동요인

[디스플레이 가공용 장비]

당사 제품의 수요에 영향을 주는 요인은 가장 외곽의 전방산업인 TV, 컴퓨터, 노트북, 휴대폰 등 전자기기 산업의 경기변동이며, 이에 따라 디스플레이 산업이 영향을 받고 디스플레이 업체의 투자 계획 유무에 따라 당사 장비의 수요가 영향을 받습니다.

디스플레이 패널 제조업체가 디스플레이 패널의 예상 수요 및 관련 전방산업 경기에 따라 디스플레이 생산라인을 증설하거나 신규 투자를 수행하기 때문에 디스플레이 장비산업은 디스플레이 패널 제조업체의 투자계획에 따라 영업실적이 변동되는 특성을 가지고 있습니다.

[반도체 공정용 CVD-SiC Products]

CVD-SiC 제품의 수급에 영향을 주는 요인은 가장 직접적인 요인은 반도체 DRAM 미세화 및 3D NAND 적층 확대라고 할 수 있습니다. DRAM은 미세화가 계속 진행되고 있는데 이는 회로선폭을 좁게 함으로써 웨이퍼 효율성에 직접적인 영향을 주기 때문입니다. 반도체의 미세화가 진행될수록 식각공정의 중요성이 증가하게 됩니다. 3D NAND 적층수는 24단에서 시작해 90단 이상까지 확대되고 있습니다. 적층수가 증가할수록 에칭공정의 난이도가 증가하게 되는데 에칭공정이 각 층을 하나로 이어주는 통로를 형성하기 때문입니다.

DRAM 미세화 및 3D NAND 적층확대가 CVD-SiC 수요에 영향을 미치는 직접적인 요인이라고 하면, 거시적으로는 사회전반 전자기기 수요의 증가가 CVD-SiC 의 수요증가에 영향을 미칠 수 있습니다. 세부적으로 들어가 보면 반도체 업체의 신규투자, 설비가동률, 원가절감 동인의 존재여부, 반도체 기술의 변화가 수급에 영향을 주는 요인이라고 할 수 있습니다.

(나) 대체시장 현황

[디스플레이 가공용 장비]

TV, 노트북, 스마트폰 등의 디바이스의 수요는 지속적으로 유지되고 있으며, 현재 단계에서 평판 디스플레이를 대체할 수 있는 제품은 없습니다.

최근, 기존 디스플레이의 중심인 TFT-LCD가 OLED, Flexible 디스플레이,QD-OLED, 마이크로LED 등 차세대 디스플레이로 전환 되어 가고 있는 추세이며, 이러한 공정 변화로 인해 디스플레이 장비 또한 신규 공정 장비로 대체될 것으로
예상되나, 엣지그라인더 자체의 수요가 감소하지는 않을 것으로 예상합니다.

[반도체 공정용 CVD-SiC Products]

반도체 에칭공정의 환경이 변화함에 따라 Si소재의 단점을 해결하기 위해 수년동안 기술개발이 이어져 왔습니다. 특히 SiC 소재의 특성이 가혹한 에칭공정에 적합하다는 점 때문에 SiC 제품을 개발하고자 하는 노력은 상당히 오랬동안 지속되었습니다.

CVD 공법에 의한 SiC Focus Ring이 상용화된지는 5년여 밖에 되지 않으며, 기술개발수준, Si대체율, 경쟁업체들의 기술투자 확대 및 시장진입 시도 등을 고려할 때 SiC Focus Ring은 라이프 사이클상 성장단계에 있다고 할 수 있습니다.
따라서 향후 상당기간 CVD방식이 SiC소재 제품 생산에 중요한 기술로 자리잡을 것으로 예상하고 있습니다.